刻蚀机和光刻机的差异

时间: 2024-09-29 18:04:41 |   作者: 爱游戏体育电竞平台官网

  1、工艺不同:刻蚀机是将硅片上剩余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。

  等离子刻蚀机,又名等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子外表处理仪、等离子清洗体系等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种方式,其原理是暴露在电子区域的气体构成等离子体,由此产生的电离气体和开释高能电子组成的气体,然后构成了等离子或离子,电离气体原子经过电场加快时,会开释满足的力气与外表驱赶力紧紧粘合资料或蚀刻外表。某一些程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较细微的状况。进行干式蚀刻工艺的设备包含反响室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽暇的反响室。气体被导入并与等离子体进行交流。等离子体在工件外表产生反响,反响的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上就是一种反响性等离子工艺。