近段时刻，美国对我国高科技工业尤其是芯片范畴动作一再，美方的意图世人皆知。许多人因而而对我国科技工业的未来忧心如焚，缺少决心。咱们都知道，光刻机的研制是芯片工业的制高点之一，难度极大。像荷兰ASML光刻机便是多国协作的成果，单靠美国也是搞不出来的。而我国恰恰就不信这个邪，硬是在光刻机研制上杀出了一条新路。

  近来，国家严峻科研配备研制项目“超分辩光刻配备研制”经过检验。该光刻机由我国科学院光电技能研究所研制，光刻分辩力到达22纳米，结合两层曝光技能后，未来还可用来制作10纳米级其他芯片。该项目建立了一条高分辩、大面积的纳米光刻配备研制新路线，绕过国外相关知识产权壁垒，具有彻底自主知识产权。

  相似言归于好还有许多。在很多半导体制作设备之中，发挥最为要害作用的设备有两种，第一种是光刻机，第二种是等离子刻蚀机。现在中微开发的电容性等离子刻蚀机和电理性等离子体刻蚀机在功能和性价比上都进入世界三强。据介绍，在国内，中微半导体的高端设备产品已在逐渐替代美国设备，市场占有率在步步进步。中微刻蚀机已进入世界最先进的7nm生产线nm器材的刻蚀使用，介质刻蚀市场占有率位列第三。美国VLSIResearch曾发布过一份全球半导体设备“客户满足程度”评比，中微被评为仅次于荷兰ASML和一家美国公司的第三位。

  在芯片制作方面，中芯世界联席首席执行官赵水兵博士和梁孟松博士此前曾表明，中芯世界在14纳米FinFET技能开发上取得严峻进展。第一代FinFET研制技能已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，中芯世界28纳米HKC+技能开发也已完结。28纳米HKC继续上量，良率到达业界水平。另一家我国芯片制作企业华虹集团董事长张素心也曾表明，华虹现在28纳米工艺产品良率到达93-98%，2020年华虹将具有14纳米FinFET产品生产才能。

  别的此前据有关报导，威风E级原型机的处理器、网络芯片组等中心器材悉数完成国产化；“银河三号”悉数使用了自主立异技能，包含自主飞扬CPU。

  8月7日，紫光旗下长江存储揭露其突破性技能XtackingTM，且该技能已成功使用于第二代3DNAND产品的开发中，估计于2019年进入量产阶段。长江存储于2017年成功研制我国首颗32层三维NAND闪存芯片。据紫光集团联席总裁刁石京泄漏，长江存储32层3DNAND闪存芯片将于本年第四季度量产，而其64层3DNAND闪存芯片研制也在紧锣密鼓地进行，并方案于2019年完成量产。

  现在我国电科自主研制的多台12英寸离子注入机进入北京中芯世界生产线纳米。实践证明，针对一些卡脖子的单薄范畴，我国人彻底有才能研制出自己的中心芯片和配备。一些暂时霸占不了的，多给点时刻，早晚也会被咱们拿下。

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