均指异质结电池，并无差异。 HIT是英文 Heterojunction with Intrinsic Thin-layer 的缩写，本征薄膜异质结，最早由日本三洋公司于1990年成功开发，因HIT早已被三洋注册为商标，因而又被称为HJT 或 SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。HIT/HJT电池归于晶硅电池，是在晶体硅上堆积非晶硅薄膜，归纳了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有高转化功率、低光衰、低温制程、高弱光呼应、稳定性高、衰减率低一级特性。是第三代薄膜电池的代表，它运用钙钛矿结构资料作为光吸收层，并包含单结和叠层两种首要类型。钙钛矿-晶硅叠层电池是业界以为未来产业化开展的重要方向。HJT电池因为自身非晶硅层的存在，与钙钛矿适配度更高且自身功能更好。板块专心于高效异质结（HJT）电池、组件，钙钛矿等产品的研制技能、出产、出售、运营为一体。