高通发布的3纳米芯片骁龙8至尊版成为近期互联网的热点，中国自主研发的手机除了一家手机品牌之外，都去捧场了，中国自主研发的手机们也都表示将会推出搭载骁龙8至尊版的手机，然而如此做却也凸显出中国自主研发的手机完全受制美国芯片的尴尬局面
由于众所周知的原因，中国芯片行业难以得到EUV光刻机等先进芯片设备，为此中国芯片行业积极通过利用现有的设备开发更先进的工艺，同时通过其他技术提升芯片性能，而日本媒体早前拆解中国一款手机的芯片，证实中国在这样一些方面取得突破
?尽管摩尔定律的增速已显著放缓，但工艺节点依然稳步向前，现已演进至2nm甚至1nm以下。而在最新的逻辑节点中，传统器件架构已不具优势，而互补场效应晶体管(CFET)则被看做“成大事者”，成为埃米时代（1埃米等于0.1纳米）的主流架构
近期光刻机龙头ASML突然发疯，发布PPT，揭开了台积电的等芯片制造企业的先进工艺的技术细节，指出台积电等的先进工艺，其实从28纳米以后就已脱离了原来的芯片工艺命名规则，芯片工艺的命名早已脱离了原来的命名规则
台积电之前曾说2纳米、1.6纳米都无需2纳米EUV光刻机，不过日前台积电突然改口了，将采购2纳米EUV光刻机，这在某种程度上预示着台积电在开发2纳米、1.6纳米工艺的过程中已遭遇了巨大的困难。
某科技企业高管表示中国芯片当前能达到7纳米工艺已是了不起的成就，研发5纳米、3纳米难度太大了，他同时指出提升芯片性能除了使用先进光刻机研发先进工艺之外，还有别的途径，这对于当下面临诸多困难的中国芯片来说应该是更现实的做法
某科技企业的高管在接受媒体采访的时候表示当前能搞定7纳米已是很了不起的成就，那些动不动就吹嘘说突破5纳米、3纳米脱离了现实，这无疑是在当下躁动的社会中给予重锤，提醒各方不要过于狂妄自大。
一直以来，国产芯片研发先进工艺都存在不小的争议，因为ASML没有将先进的EUV光刻机卖给中国芯片企业，中国芯片企业之前买下的最先进光刻机也是2000i，台积电曾以这款光刻机生产7纳米。
台积电已公布了A16（相当于1.6纳米）工艺，预计在2026年实现量产，外媒指出该项工艺很有可能会继续采用现有的第一代EUV光刻机实现，原因可能是2纳米EUV光刻机实在太贵了。 ASML今年量产的
据了解北京一家公司正在研发一种利用现有光刻机生产5纳米工艺的技术，预计很快就能实现量产，该工艺的核心技术是自对准四重图案化（SAQP）技术，类似技术曾被台积电用于7纳米，Intel也曾试图利用该项技术
ASML公布一季度的业绩，业绩显示营收同比下滑21.6%，净利润更是暴跌37.4%，营收环比更是从2023年Q4的91.9亿欧元暴跌近三分之二，导致如此结果就在于ASML无法对中国销售较为先进的DUV光刻机
日前媒体披露一份芯片制造的专利，据称为深圳两家企业联合申请，该项专利与芯片制造有关，业界一致认为这项专利对于其中一家知名科技公司最重要，它即将发布一款5.5纳米的芯片，该专利恰在此时公开，或是印证它开发5.5纳米芯片制造技术取得成功
全球诸多国家都在研发绕开ASML的EUV光刻机的芯片制造方案，不过目前为止真正量产其实仅有一家，而这种设备即将投入生产，将彻底改变芯片制造业，大幅度降低先进芯片制造成本，还将让ASML的EUV光刻机变成废铁
文：诗与星空(ID: SingingUnderStars) 2024年1月17日，英特尔CEO帕特基辛格参加达沃斯世界经济论坛时称，由于美国、日本和荷兰在半导体设备上的联合限制，中国的半导体制造业与全球顶尖晶圆厂的技术差距约为10年
台积电宣布它在美国的5纳米工厂预计延迟到2025年量产，而3纳米工厂则将延迟到2027年或2028年量产，它在这样一个时间段表态或许是对此前美国迫使ASML优先将2纳米光刻机交付给Intel的回击。
外媒报道指被用于2纳米的第二代EUV光刻机将在明年交付，不过产量将只有10台，其中6台已优先给予美国的芯片企业Intel，剩下的4台将被三星、台积电、SK海力士等争夺，台积电未必能抢到。 台积电和三星当下以第一代EUV光刻机生产3纳米都遇到了麻烦
日前台媒报道指台积电将会持续改良3纳米，确保3纳米工艺用到2026年，以等待2纳米工艺的量产；另一方面为增加收入，正大举降低7纳米的价格，希望获得中国芯片的青睐，显示出台积电正进一步拓展中国大陆市场
芯片设备市场出现重大变化，日本的5纳米压印光刻机已可向客户交付，进展神速，远超预期，这下子ASML的压力就大了，它的EUV光刻机可能因此被淘汰而成废铁了。 据佳能的高管表示它家的
清华大学戴琼海院士研发出了芯片的全新架构--光电模拟芯片（ACCEL），挣脱了美国摩尔定律的限制，以现有的百纳米级别工艺却能达到7纳米工艺的性能，为中国芯片技术开辟了新道路。 据了解ACCEL芯
0111外国媒体报道指目前广受关注的某国产5G芯片8000S被日本东京电子研究机构Fomalhaut Techno Solutions拆解检测后，认为这并非7纳米工艺，而是14纳米工艺，与此前推测的7纳米工艺存在差异
知名苹果分析师郭明錤预计美国手机芯片企业高通将在今年四季度开启降价促销，因为它当下正面临着多方夹击，尤其是国产5G手机的推出，以及国产3纳米5G芯片的量产，让它备受压力。 近期一
台积电对3纳米工艺寄予厚望，甚至还非常罕有地为3纳米工艺量产组织了发布仪式，凸显出它对3纳米工艺的格外的重视，然而随着iPhone15的上市，3纳米工艺的实际表现却相当尴尬，这已导致芯片企业对它的态度出现分化
在发布会之前，A17处理器和3纳米工艺被吹得神乎其神，随着iPhone15的发布，两者也终于在人们面前显示出真面目，事实就是先进工艺并没那么厉害，多花的钱并不值。 苹果在发布会上
高通作为手机芯片市场的领先者，曾长达十多年位居手机芯片市场的王者地位，不过从2020年以来就已被中国芯片企业超越，至今未能挽回，而近期中国一家手机企业的9000S芯片推出更给予高通重击，可能会引起高通在中国手机芯片市场的份额进一步下滑
日前外媒对国产5G手机的拆机结果证实这款5G芯片为7纳米工艺，考虑到台积电等不会为它代工生产芯片，可以认为这是国产7纳米工艺已正式量产，而正是在这款国产5G手机发布后，ASML就迅速表示获得许可对中国出售2000i光刻机
由于众所周知的原因，荷兰和日本的光刻机对中国供应面临限制，其他芯片设备和材料也受到很大的限制，这促使国产芯片产业链积极完善，以实现纯国产芯片工艺，虽然在光刻机方面还稍微落后，不过有一项国产芯片设备却进展神速，达到了3纳米
时隔一年，SK海力士、美光和三星都宣布将推出超过300层的NAND flash存储芯片，这是美系芯片在芯片堆叠技术上再次反超国产存储芯片，如今国产存储芯片技术仍然停留在232层，已落后于美系芯片。
日前国内知名科技公司再次公布了一份芯片堆叠专利，与该企业计划发布5G手机的消息结合，就让人想到很可能是该企业以芯片堆叠技术实现7纳米性能，确保5G基带芯片的推出。 由于众所周知的
中国一家芯片企业表示他们测试的3纳米芯片已获得成功，显示出国产芯片不畏艰险，积极抓住现有的芯片基础，先行突破有机会推进的技术，最终实现从点突破再到面突破。 据悉广东利扬公司已成功实现3纳米芯片的
从去年至今中国进口的芯片减少了1400亿颗，芯片进口金额减少了300多亿美元（约合近2400亿元人民币），尤为让人高兴的是近期频频传出中国或已搞定接近7纳米的N+1工艺，并将为一家中国芯片公司制作芯片
台媒报道指台积电的3纳米工艺仍未达到七成良率标准，只能达到55%左右，过低的良率导致苹果迫使台积电修改了收费标准，如此导致的高成本将只能由台积电承担，赚钱恐怕还是得靠量产多年的5纳米工艺。 台积
日前台积电公布消息指AI芯片需求激增，因此该公司获得了大量新增订单，然而特殊的是这些订单却并非迫切要求先进的工艺，而是以更成熟的7纳米工艺为主，辅以台积电先进的CoWos封装技术，借此降低成本。
美国联合日本、荷兰等限制对中国供应先进芯片设备，试图借此阻止中国发展14纳米以下的先进工艺，然而日前中国一家芯片企业发布了一款全新的芯片，却给中国芯片行业指明了新道路，发展先进性能芯片又了可能性。
三星是全球唯一可以与台积电竞争先进工艺的芯片制造企业，日前消息指三星意外地降低成熟工艺的代工价格，希望以价格上的优势抢夺成熟工艺市场，这一措施的目标似乎与中国大陆和台积电。三星已量产全球最先进的3纳米工艺
随着台积电在先进工艺研发方面受挫，全球芯片行业都已认识到先进芯片工艺研发难度慢慢的变大，这条路越来越难推进了，因此芯片企业纷纷探索新的提升芯片性能的技术方向，而chiplet技术就是这里面的一个方向，这方面中国芯片恰恰已取得重大进展
数据通信VCSEL和光电二极管解决方案的开发商Trumpf Photontonic Components宣布，它将于下周开幕的美国光纤通讯展览会及研讨会(OFC)上展示其850纳米产品组合，以及更长波长产品的未来路线
昨晚的架构日活动上，Intel披露了大量技术信息，包括Xe架构GPU、Alder Lake混合x86桌面CPU、10nm SuperFin增强工艺技术等。其中，Anandtech格外的注意到，Xe中最顶级的核心Xe＿HPC，代号Ponte Vecchio（“维琪奥桥”），居然用上了四种纳米工艺制程