产品介绍

  近年来中国在半导体领域的发展已经取得了一定的成就，想进一步的突破，仍面临着很大的挑战，限制中国半导体发展的重要的条件集中在半导体设备和先进材料等方面。在材料方面，包括光刻胶、前驱体、硅材料、电子化学品等，是技术壁垒高的半导体关键材料，亟待广大科研单位及相关公司进行攻关。对这些关键材料的研发过程中，包括材料的优化开发、作用机理探究、定性定量分析、材料性能评估以及质量控制等，都需要用各类分析手段。珀金埃尔默（PerkinElmer）作为分析仪器领先的全球供应商，广泛和深入的服务于全球研究机构和企业，助力半导体材料的研发。

  光刻胶中金属元素杂质的存在会对其感光性能和成品质量产生一定的影响，如降低分辨率、增加胶层的不均匀性等。光刻胶主要成分是树脂、光引发剂，单体等，主要成分都是有机物。在使用ICP-MS分析光刻胶中的金属杂质时，遇到的主要挑战是仪器对有机试剂的耐受能力及反应池消除质谱干扰的能力。为了尽最大可能避免前处理可能带来的污染，一般会用有机溶剂稀释后直接进样的方式测试。珀金埃尔默NexION系列ICP-MS采用独有的34 MHz频率，使等离子体具有更强的趋附效应，中心通道更宽，有机类样品在经过等离子体时解离更完全，仪器测试有机样品时具有更好的稳定性。

  Mg+的干扰、12C15N+对27Al+的干扰，40Ar12C+对52Cr+的干扰、40Ar16O+对56Fe+的干扰等，NexION系列ICP-MS具有化学分辨能力，其核心就是采用具有专利技术的配备轴向加速电压的四极杆作为反应池，配合使用反应活性强的纯氨气作为反应气，在反应模式下能够彻底消除干扰，保证测试结果的准确度，达到精确评估光刻胶质量的目的。光刻胶中受干扰元素典型检出能力

  在光刻胶配方开发过程中，出色的分析手段将极大帮助研究人员获取反馈信息。单独的手段往往具有局限性，比如热重（TG）没有结构定性能力，因此研究人员往往只能依靠个人的主观经验推测每个分解温度区间所产生组分的化学结构归属，这对于光刻胶配方逆向开发和性能优化等领域的应用存在比较大的不确定性。而单独的红外（FTIR）或者气质（GC/MS）均存在单一温度维度测试的局限性，无法有效的还原温度维度或实现原位检测的要求。而采用分析技术的联用，就能轻松实现设备间的“协同效应，扬长避短”，比如热重引入的温度维度能结合红外或气质的定性能力，赋予实时分析光刻胶组分随温度的动态逸出过程，做到原位监测、还原真实的反应/分解过程，应用于光刻胶配方开发和环境颗粒物的相互作用研究。

  前驱体是半导体薄膜沉积工艺的主要原材料，在薄膜、光刻、互连、掺杂等半导体制作的完整过程中，前驱体主要使用在于气相沉积(包括物理沉积PVD、化学气相沉积CVD和原子气相沉积ALD)，以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。此外，前驱体也可用于半导体外延生长、刻蚀、离子注入掺杂和清洗等，是半导体制造的核心材料之一。

  TEOS（正硅酸乙酯）、DIPAS（二异丙胺硅烷）、4MS（四甲基硅烷）等

  用ICP-MS对前驱体样品中金属杂质分析时，由于样品中的金属元素杂质含量低，稀释倍数受到限制，导致前处理后的溶液样品中总固体溶解含量（TDS）较高，对ICP-MS耐盐能力提出了很高的要求。珀金埃尔默NexION系列ICP-MS采用独特的大锥孔三锥设计（TCI）和90度四极杆离子偏转技术(QID)，配合全基体进样系统（AMS），具有更加优异的基体耐受能力，以及更加优异的长期稳定性。

  半导体硅基材料的研发是半导体集成电路发展的核心，集成电路制造技术已进入了后摩尔时代，传统硅基材料在尺寸微缩极限下遇到的关键挑战，是造成集成电路工艺复杂性和系统模块设计难度明显提升的主要的因素。发展新材料（如三代半导体SiC等），探索与硅基技术兼容的新材料、新结构器件集成制造技术，是未来集成电路的重要发展的新趋势，也是后摩尔时代集成电路发展的主要技术路线之一。

  电子化学品是半导体生产的全部过程一类重要的辅原料，品种很多，包括氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸、氨水、双氧水等超纯无机试剂和异丙醇（IPA）、丙酮、四甲基氢氧化铵（TMAH）、N-甲基丙络烷酮（NMP）、丙二醇甲基醚乙酯(PGMEA)等超纯有机试剂。电子化学品生产的基本工艺和应用研发是科研工作者的重要目标，其内容有高纯度原料的选择与预处理、提纯技术、复配技术和各类功能性电子化学品的开发与应用等方面。

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  根据GB/T-5750.5-2023使用NexION 1100 ICP-MS法测定饮用水中的碘

  分离更智能 进一步探索 USP 467 顶空-气相法如何确保药品中的溶剂残留合规

  会议邀请 2024无机分析技术研讨会暨第十六届珀金埃尔默原子光谱用户会

  创新引领 YOUNG帆起航——仪器信息网25周年 我们不一YOUNG！