产品介绍

  IT之家 3 月 26 日音讯，近来，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣告经过不断的进步反响台之间气体操控的精度，ICP 双反响台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又获得新的打破，反响台之间的刻蚀精度已到达 0.2A（亚埃级）。

  据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一，是人类头发丝均匀直径 100 微米的 500 万分之一。

  在 200 片硅片的重复性测验中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测验晶圆，在左右两个反响台上各 100 片的均匀刻蚀速度相差，各为每分钟 0.9 埃，1.5 埃和 1.0 埃。两个反响台之间均匀刻蚀速度的不同（≤ 0.09%），远小于一个反响台加工多片晶圆刻蚀速度的不同（≤ 0.9%）。

  中微公司泄漏，CCP 的双台机 Primo D-RIE® 和 Primo AD-RIE® 的加工精度，两个反响台的刻蚀重复性和在出产线上的重复性也早已到达和 Primo Twin-Star® 相同的水平。在两个反响台各轮番加工 1000 片的重复性测验中，两个反响台的均匀刻蚀速度相差，只要每分钟９埃，小于 1.0 纳米。