产品介绍

  中新网上海新闻3月27日电(记者 康玉湛) 近来，中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)宣告经过不断的进步反响台之间气体操控的精度， ICP双反响台刻蚀机Primo Twin-Star 又获得新的打破，反响台之间的刻蚀精度已达到0.2A(亚埃级)。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。

  据介绍，该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝均匀直径100微米的500万分之一(图1)。这是等离子体刻蚀技能范畴的又一次立异打破，显示了中微公司在研制技能上的深沉堆集，进一步稳固了公司在高端微观加工设备商场的领先地位。

  在200片硅片的重复性测验中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测验晶圆， 在左右两个反响台上各100片的均匀刻蚀速度相差，各为每分钟0.9埃，1.5埃和1.0埃。两个反响台之间均匀刻蚀速度的不同(≤ 0.09%)，远小于一个反响台加工多片晶圆刻蚀速度的不同(≤ 0.9%)。

  到现在，Primo D-RIE以及下一代产品Primo AD-RIE在逻辑客户的产线上的量产反响台已逾越2000台，并有近600个反响台在世界最先进的逻辑产线上量产，其间适当一部分机台已在5纳米及更先进的出产线上用于量产。

  中微公司创始了单反响台能够别离独立操作也能够一起操作的双反响台刻蚀反响器，是占地面积小、输出量高和成本低的刻蚀机。CCP和ICP的双台机现已证明了能够掩盖60%以上的刻蚀使用。很多的出产线数据标明，双反响台和单反响台刻蚀机出现相同的刻蚀功能、刻蚀稳定性和可靠性。凭仗职业创始的可独立作业的刻蚀设备双台机技能，经过超越20年的技能立异与经历堆集，中微公司研制的电感耦合ICP刻蚀设备Primo Twin-Star初次获得了0.2A的业界创始的刻蚀精度。该产品选用首创的低电容耦合LCC 3D线圈规划，双反响台腔体结构并结合立异的反响腔规划，可最大极限削弱非中心对称抽气口效应，可选多区温控静电吸盘(ESC)增强了对要害尺度均匀性的操控，与其它同类设备比较，具有低成本、占地小和高产出的优异于特性，可使用于大多数先进逻辑和存储器的刻蚀制程。

  此外，中微公司继续加码立异研制，2024年在研项目广泛包括六大类设备，积极地推动超越二十款新式设备的研制作业，并在半导体薄膜堆积设备范畴不断打破，推出了多款LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备新产品，获得了重复性订单。公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备等多款新产品，也会在近期投入商场验证。