三星电子在3D NAND闪存出产中完成技能打破光刻胶用量折半
时间: 2024-12-24 16:42:28 | 作者: 大气常压等离子清洗机
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【环球网科技归纳报导】11月26日音讯,三星电子在3D NAND闪存出产领域取得了严重技能打破,成功将光刻胶(PR)的使用量折半,这一立异估计将显着提高出产功率并大幅度下降本钱。
据韩媒The Elec报导,三星电子经过准确操控涂布机的转速(rpm)和优化PR涂层后的蚀刻工艺,将每层涂层所需的光刻胶用量从7-8cc下降至4-4.5cc。此外,三星采用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,使得一次性构成多个层成为可能,进一步提高了工艺功率。
但是,更厚的光刻胶也带来了出产中的应战。因为光刻胶的高粘度特性,有几率会使涂层均匀性问题。未处理这一问题,三星电子与长时刻合作伙伴东进半导体化学公司自2013年起就密切合作,一同研制高性能光刻胶。东进半导体化学公司一直是三星KrF光刻胶的独家供货商,为三星第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND供给了要害资料。
音讯称,从第9代3D NAND开端,三星将全面使用这项新技能。这一立异行动估计将为三星节约每年数十亿韩元的本钱。但这也代表着东进半导体化学公司将面对来自三星的订单削减。东进半导体化学公司现在每年从光刻胶事务中取得约2500亿韩元收入,谈判60%来自三星。(鱼七)
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