产品介绍

  2023年薄膜沉积设备收入超60亿元，PVD累计出货量超3,500腔 薄膜沉积设备大多数都用在在基底材料上生长、沉积或涂布极薄的膜层，这些膜层在芯片中扮演重要的角色，2023年公司薄膜沉积设备收入超60亿元。

  （1）PVD：北方华创先后突破磁控溅射源设计、等离子体产生及控制、腔室设计与仿真模拟、颗粒控制、软件控制等多项核心技术，实现了对逻辑芯片和存储芯片金属化制程全覆盖。

  （2）CVD：北方华创基于十余年沉积工艺技术的丰富经验，布局拓展了DCVD和MCVD两大系列产品。

  （3）EPI：北方华创已形成具有核心技术优势、品类齐全、应用广泛的外延系列化产品，具备单晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等多种材料外延生长技术能力，覆盖集成电路、功率半导体、化合物半导体等领域应用需求。公司自主研发的12英寸常压硅外延设备，实现对逻辑芯片、存储芯片、功率器件及特色工艺全覆盖，且已全部成功量产，成为客户基线产品。

  公司各工艺装备市场占有率逐步攀升，营收规模持续扩大规模效应逐步显现 2023年公司持续加大研发投入，产品质量稳步提高，营业收入达220.79亿元，创公司业绩历史上最新的记录。2023年归母纯利润是38.99亿元，同比增长65.73%，根本原因为：公司持续增强产品竞争力，收入规模大幅度的增加，公司2023年新签订单超过300亿元。

  公司2024Q1实现盈利收入 58.59亿元，同比增加51.36%，其根本原因是：公司持续聚焦主营业务，精研客户的真实需求，深化研发技术，不断的提高核心竞争力，应用于集成电路领域的刻蚀、薄膜沉积、清洗和炉管等工艺装备市场占有率稳步攀升。2024Q1公司经营活动产生的现金流量净额为 2.60亿元同比增长139.31%，其根本原因是公司订单及营业收入大幅度的增加，销售回款增长。

  （1）ICP：公司多晶硅及金属刻蚀系列ICP设备实现规模化应用，完成了浅沟槽隔离刻蚀、栅极掩膜刻蚀等多道核心工艺开发和验证，助力国内主流客户技术通线，已实现多个客户端大批量量产并成为基线）CCP：北方华创集成电路领域CCP介质刻蚀设备实现逻辑、存储、功率半导体等领域多个关键制程覆盖，为国内主流客户提供稳定、高效的生产保障，赢得客户信赖和认可。

  （3）TSV：北方华创推出的12英寸TSV刻蚀设备，通过快速气体和射频切换控制管理系统，结合优良工艺配方架构，在高深宽比硅通孔刻蚀中可精确控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损失。通过优异的实时控制性能，大幅度的提高刻蚀速率，达到国际主流水平。

  （4）等离子去胶：北方华创凭借深厚的等离子源开发及应用经验，自主设计开发了低损伤等离子源，克服了O2、H2、NH3等去胶的各种技术难点，在高剂量离子注入后的去胶、新型材料去胶、高深宽比聚合物去除等方面取得技术领先优势。

  目前北方华创TSV刻蚀设备已大范围的应用于国内主流Fab厂和先进封装厂，是国内TSV量产线的主力机台，市占率领先。

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