产品介绍

  到2024年三季度，半导体设备职业的合同负债达201.8亿元，同比添加14%，其间

  刻蚀，是使用化学或物理的办法将晶圆外表附着的不必要的原料进行去除的进程。

  在芯片产线触及的十大类设备中，光刻、刻蚀、薄膜堆积是三大要害设备，价值量别离占比17%、22%和22%。其间，刻蚀设备是重要性仅次于光刻机的半导体设备。

  跟着半导体厂商逐步参加先进制程（栅极宽度28nm以下）的行列中，对高性能刻蚀设备的需求也日积月累，大多数来源于以下两个方面：

  关于国内半导体厂商而言，受制于部分设备才能，还需依靠多重曝光来完结更小的尺度，像5nm制程的刻蚀工艺能到达160次，这就添加了刻蚀设备的需求。

  现在，存储器材已进入3D NAND闪存年代，而在其制作工艺中，最困难也是最要害的应战是深邃宽比通孔刻蚀。

  这要求在刻蚀时，要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上加工40:1到60:1乃至100:1的极深孔或极深的沟槽，来完结更高的深宽比。

  所以，在存储器材的更新迭代下，刻蚀设备的体现有所分解，具有深邃宽比的刻蚀设备需求将更高。

  近几年，国内3D NAND厂商进口半导体设备的难度不断加大，继而加大了对国产半导体设备的代替需求。

  像NAND厂商长江存储已成功选用中微公司、北方华创等厂商的半导体设备来代替进口设备，并取得了稳健开展。

  2023年，国内半导体设备国产化率已达17.6%，其间刻蚀设备国产化率已到达20%左右。

  能够看出，国内刻蚀设备的国产化率进步速度很快，而且未来仍有很大的开展空间。

  可是，公司想要取得订单也并非易事，要一向习惯职业的需求。这一点，中微公司做得极为超卓，大致上能够分为三大方面：

  现在，公司的CCP（高能等离子体刻蚀）产品现已对28nm及以下的制程有了较为全面的掩盖，也是国内仅有一个在5nm等级完结批量出货的公司。

  针对超深邃宽比刻蚀，公司自主开发的PrimoUD-RIE具有刻蚀大于60:1深宽比结构的量产才能，并已在出产线验证。

  与此同时，公司在该范畴的研制仍在继续，活跃布局超低温刻蚀技能，储藏大于90:1深宽比刻蚀技能。

  2024年前三季度，公司的研制费用已达9.1亿元，同比添加82%，研制费用率达16.6%，包括六类设备和20多个新设备。

  受研制开销敏捷添加的影响，2024年前三季度，公司尽管营收同比增速到达了36%，但归母净利润却同比下降了21%。

  当然，关于科技型企业来说，研制投入是必不可少的，要害要看公司资金的承当承受的才能，能否保持继续运营。

  从负债端来看，到2024年三季度，公司的负债规划达65.3亿元，其间有息负债为5.2亿元，占比仅有8%，有息债款担负并不重。

  而且，企业具有68亿元的货币资金，运营活动现金流也在回暖，安全性进一步进步。

  现在，公司在用于存储器128层及以上的CCP、7nm以下逻辑CCP等项目研制投入已挨近结尾，取得了不错的开展，估计2024-2025年有望看到相关设备完结验证导入乃至量产，到时公司的效益将会促进进步。

  从2023年开端，公司的许多产业化建设项目连续投产。相较于2022年，估计2025年公司厂房面积将扩展15倍，从而能更好接受职业周期上行的需求。

  2024年前三季度，公司共出产专用设备1160腔，同比添加310%，对应产量94.2亿元，同比添加287%，满意了后续订单的要求。

  现在，公司构建了“刻蚀+薄膜+量检测”的事务组合，掩盖了约30%的集成电路设备品种。

  前面说到的3D NAND，除了需求深邃宽比刻蚀技能，还要有薄膜制程的支撑，所以公司布局薄膜设备，不仅能供给新的成绩添加点，还能更好合作刻蚀事务的开展。

  在薄膜设备上，公司的开展很快。继2023年公司推出4-5款新品后，2024年又连续推出了10多款产品。

  其间，公司钨系列薄膜堆积产品可掩盖存储器材一切钨使用，并已完结多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，部分产品已取得了重复性订单。

  总结一下，在下流需求和国产代替的影响下，中微公司凭借着技能实力、产能扩张及事务外延拿到了许多订单，而且公司资金富余，归于安全性和成长性均较强的企业。