产品介绍

  2.5D和3D封装技能作为打破集成电路开展制程瓶颈的要害，TSV（硅通孔）要害工艺拉动二十余种设备开展。近年人工智能迅猛开展，2.5D和3D封装技能革新了芯片互联方法，成为打破集成电路开展制程瓶颈的要害。3DIC封装如HBM（高带宽内存）和2.5D封装技能如CoWoS被大范围的使用并加快开展，拉动集成电路配备工业高水平质量的开展。TSV技能作为先进互联方法，在HBM和CoWoS中起着至关重要的效果，就TSV制作流程而言，以2.5Dinterposer为例，其制作流程可大致分为三大部分：TSVprocess-VialastorViamiddle（TSV孔的制作）、Frontsideprocess-DualDamasceneprocess（正面制程-大马士革工艺）以及Backsideprocess-CuExpose&RDLprocess（反面制程-露铜刻蚀和再布线层制程）。每个部分详细环节对应不同设备及不同目标。TSV生产流程触及到深孔刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及电镀、清洗、减薄、键合等二十余种设备，其间深孔刻蚀、气相堆积、铜填充、清洗、CMP去除剩余的金属、晶圆减薄、晶圆键合等工序触及的设备最为要害。跟着2.5D和3D封装技能的使用，TSV作为要害工艺将拉动集成电路配备工业高质量开展。

  公司先进封装范畴用刻蚀+薄膜+炉管+清洗全面布局，静待国内2.5D和3D封装技能大放异彩。公司深耕集成电路配备工业二十余载，可为先进封装范畴客户供给TSV制作、正面制程-大马士革工艺、反面制程-露铜刻蚀和RDL工艺的全面解决方案，触及刻蚀、薄膜、炉管、清洗四大类二十余款配备工艺解决方案：

  1）刻蚀：PSEV300设备在TSV工艺中选用快速气体和射频切换操控办理体系结合的方法，在深邃宽比深硅刻蚀中精准操控侧壁描摹，完成侧壁无损伤和线宽无损伤，刻蚀均匀性、挑选比更佳；选用每腔单片规划，具有愈加好的气流场均匀性和真圆度工艺体现；经过优化机台晶圆边际维护设备，进步产品良率；在2.5D工艺中，企业来供给可满意BVR（反面通孔露出）和BFR（反面平坦露出）不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案；HSED300设备在PlasmaDicing（等离子体切开）工艺中针对小芯片制作具有高刻蚀速率和深邃宽比才能优势，具有多种UV膜的冷却方法，保证UV膜的延展性，完成高质量的芯片切开；BMDP300设备作为封装范畴Descum（去残胶）的主力产品，在Bumping（凸点工艺）、Fanout（扇出封装）、2.5D&3D使用中的残留光刻胶去除、剩余金属去除、外表活化等工艺方面，为客户供给Descum解决方案。

  2）薄膜：公司选用PEALD（等离子体增强原子层堆积）方法堆积二氧化硅维护层，可完成更好的侧壁描摹和底层覆盖率；在TSVBarrier/SeedDeposition（阻挡层/种子层堆积）工艺中选用PVD（物理气相堆积）设备解决方案，能满意金属分散阻挡层/种子层的膜厚、均匀性、粘附性要求，避免金属分散，保证器材电学功能、结构完整性和工艺兼容性。

  3）炉管：公司设备在TSV工艺的退火环节中经过超卓的温度操控才能和工艺体现，完成铜的晶粒散布愈加均匀，下降电阻率，进步TSV的制作质量和功能。

  4）清洗：公司设备在TSV工艺中可完成水溶性化学物质的结合，有用去除侧壁聚合物，保证深孔内壁清洁；在2.5D工艺中可下降铜的腐蚀率，进步化学品使用功率，完成更高的经济效益。

  咱们估计公司2024/2025/2026年别离完成收入302/403/539亿元，完成归母净利润别离为54/76/106亿元，当时股价对应2024-2026年PE别离为31倍、22倍、16倍，保持“买入”评级。

  外部环境不确定性危险；技能迭代危险；人力资源危险；下流扩产没有抵达预期危险。